Nejhustší paměťový čip na světě překonal všechna očekávání: 3D NAND snižuje spotřebu o 25 %

Kioxia a SanDisk začaly 3. července 2026 vyrábět 332vrstvý 1Tb TLC 3D NAND čip, který s hustotou přes 29 Gb/mm² překonal i Samsungův návrh s více než 400 vrstvami.

Zdroj fotografie: Pexels

Když se řekne „nejhustší paměťový čip na světě“, nejde o počet vrstev. Rozhoduje, kolik bitů se vejde na milimetr čtvereční plochy čipu, tedy takzvaná areální hustota. A právě v této disciplíně desátá generace BiCS FLASH od Kioxie a SanDisku přepisuje tabulky: přes 29 gigabitů na milimetr čtvereční, což je o 59 % více než u osmé generace. Samsung přitom na konferenci ISSCC 2025 představil vlastní návrh 1Tb TLC s více než 400 vrstvami, ale jeho hustota dosáhla „jen“ 28 Gb/mm². Méně vrstev a vyšší hustota představují překvapivý výsledek, který zpochybňuje zjednodušenou představu, že vítězem je vždy technologie s nejvyšším počtem vrstev. A k energetické úspoře: oficiální čísla Kioxie mluví o 30% zlepšení efektivity při čtení a 18% zlepšení při zápisu oproti osmé generaci. Hodnota 25 % v perexu je tak konzervativní zaokrouhlení směrem dolů; realita je ještě příznivější.

Proč 332 vrstev poráží 400+

3D NAND funguje tak, že paměťové buňky se neškálují jen do plochy, ale skládají se také vertikálně, jako patra mrakodrapu. Logika „víc pater = víc prostoru“ ale platí jen do chvíle, kdy se podíváte na půdorys celé budovy. Kioxia tento princip sama popisuje ve svých informačních materiálech jako „mýtus vrstev“: technologický pokrok neurčuje nejvyšší počet pater, ale kombinace hustoty, výkonu, spolehlivosti a nákladů na bit.

BiCS10 toho dosahuje několika kroky najednou:

• Laterální škálování – zmenšení horizontálních rozměrů buněk, takže se jich na stejnou plochu vejde více.
• Optimalizace floorplanu – čtyři paměťové roviny jsou uspořádány vertikálně, oblast pro propojovací kontakty (bonding pads) se změnila a takzvaný overhang se zredukoval na polovinu.
• Architektura CBA (CMOS-under-Bond-pad Array) – řídicí logika se schová pod paměťové pole, místo aby zabírala místo vedle něj.

Výsledek? Kioxia u 1Tb produktů mluví o nejmenší velikosti čipu ve své třídě. Samsung sice vede v absolutním počtu vrstev i v rychlosti rozhraní (5,6 Gb/s oproti 4,8 Gb/s u BiCS10), ale v hustotě, tedy v tom, kolik se skutečně vejde na danou plochu křemíku, zaostává.

Kde se vzala úspora energie

Klíčem je nový způsob řízení napětí na takzvaných slovních linkách (word lines) při čtení. U starších generačních čipů se po každém čtecím cyklu napětí nevybraných linek snížilo až na nulu a následně se znovu nabíjelo. BiCS10 je místo toho udržuje na mezilehlém potenciálu a odtud je rychleji dobíjí zpět. Menší napěťový rozkmit znamená kratší přípravu na další čtení (Kioxia uvádí úsporu 4 mikrosekund na jeden cyklus) a nižší proudový odběr.

V technickém popisu prezentace z ISSCC 2025 se mluví o 29% zlepšení energetické efektivity čtení. Produktové oznámení ze července 2026 pak čísla ještě vylepšuje: 30 % při čtení a 18 % při zápisu, obojí měřeno proti osmé generaci. Pro datová centra, kde SSD disky neustále obsluhují čtecí požadavky umělé inteligence a inferenčních úloh, je to zásadní posun v provozních nákladech.

Od laboratoře k továrně: dva klíčové milníky

Příběh BiCS10 má dvě důležitá data. První je 19. únor 2025, kdy Kioxia a SanDisk na konferenci ISSCC poprvé popsaly technologii: 332 vrstev, 4,8 Gb/s a nové čtecí schéma. Šlo o akademický náhled, nikoli o hotový produkt.

Druhé datum je 3. červenec 2026. Ten den Kioxia oznámila dvě věci najednou: zahájení vzorkování BiCS10 čipů a start výroby v továrně Fab2 v japonském Kitakami, která zahájila provoz v září 2025 a postupně nabíhala na plnou kapacitu. To není pouze papírový slib, ale reálný křemík na výrobní lince.

Kdy se to dostane do běžných SSD a telefonů

Tady je potřeba srazit očekávání. BiCS10 míří primárně do enterprise a datacentrových SSD. Kioxia to říká otevřeně a její strategické materiály z Investor Day 2026 popisují posun firmy od spotřebitelského cyklu směrem k datové infrastruktuře: vysokorychlostní TLC SSD pro AI inferenci, KV cache a podobné úlohy.

Pro běžného uživatele to v praxi znamená:

• Mobilní telefony – aktuální UFS 4.1 paměti od Kioxie stojí na osmé generaci BiCS FLASH, ne na desáté.
• Notebookové SSD – čerstvě oznámený klientský disk XG10 z května 2026 používá šestou a osmou generaci.
• Retailová SSD – žádný konkrétní model s BiCS10 ani termín dostupnosti Kioxia nezveřejnila.

Úspora energie u BiCS10 se tedy nepřelije do delší výdrže baterie vašeho notebooku příští Vánoce. Efekt půjde nejdříve do serveroven, kde se každé procento spotřeby elektřiny počítá v milionech korun ročně.

Parametr	BiCS10 (Kioxia/SanDisk)	Samsung třídy V10 (ISSCC 2025)
Vrstvy	332	přes 400
Areální hustota	> 29 Gb/mm²	28 Gb/mm²
Rychlost rozhraní	4,8 Gb/s	5,6 Gb/s
Kapacitní čip	1 Tb (TLC)	1 Tb (TLC)
Stav	Vzorkování + výroba (7/2026)	Prezentace na ISSCC (2/2025)

BiCS10 ukazuje, že závod nevyhrává pouze ten, kdo přidá nové vrstvy paměti. Kioxia a SanDisk vsadily na chytřejší půdorys, úspornější čtení a architekturu, která schovává logiku pod paměťové pole, a se 332 vrstvami překonaly konkurenta, který jich má o desítky více. Pro běžného kupujícího je to zatím vzdálená budoucnost, ale pro celé odvětví flash pamětí je to moment, kdy se pravidla hry změnila.