TSMC přepisuje pravidla hry. Nová technologie čipů sníží náklady a zrychlí AI procesory, výroba začne v roce 2028

TSMC chystá technologii CoPoS, která má nahradit kulatý wafer obdélníkovým panelem a otevřít cestu k výrazně větším a levnějším AI akcelerátorům.

Zdroj fotografie: Pexels

Když dnes TSMC balí nejsložitější AI čipy světa, naráží na problém, který nemá nic společného s tranzistory. Problém je geometrický: kulatý křemíkový wafer o průměru 300 milimetrů se špatně dělí na obří čtvercová pouzdra. Na okrajích vzniká odpad a využití plochy klesá s rostoucí velikostí pouzder. Tohle má změnit CoPoS (Chip-on-Panel-on-Substrate), nový směr pokročilého pouzdření, o kterém 11. června 2026 napsal na platformě X respektovaný analytik Ming-Chi Kuo a který potvrzují i dodavatelské zdroje z TrendForce. Nejde o nový výrobní proces tranzistorů. Jde o přepis pravidel toho, jak se obří AI čipy skládají dohromady, a právě tam je dnes jeden z největších limitů celé AI infrastruktury.

Co je CoPoS a proč nahrazuje kulatý wafer panelem

Dosud se špičkové AI pouzdření řeší technologií CoWoS (Chip-on-Wafer-on-Substrate), kterou TSMC provozuje už roky. Princip je osvědčený: na kulatý křemíkový wafer se umístí křemíkový interposer, na něj se skládají výpočetní čipy a paměťové moduly HBM a celek se připojí na substrát. Problém nastává ve chvíli, kdy zákazníci jako NVIDIA chtějí stále větší pouzdra, více čipů, více paměti a vyšší propustnost. Kulatý wafer má konečný průměr a čtvercová pouzdra se do kruhu skládají s rostoucím odpadem.

CoPoS tento limit obchází jednoduše: místo kulatého waferu pracuje s obdélníkovým panelem. Využití plochy podle veřejně citovaných informací kolem Kua stoupne z přibližně 65 % na více než 90 %. Menší odpad, větší pouzdra, lepší ekonomika. Podle stejných zdrojů má CoPoS využívat sendvičovou strukturu se skleněným jádrem a ABF build-up vrstvami; sklo zde neslouží jako výpočetní prvek, ale jako rozměrově stabilní nosná vrstva pod čiplety.

Jak přesně CoPoS „zrychlí“ AI procesory

Tady je důležité rozptýlit jedno očekávání. CoPoS nezvedne taktovací frekvenci GPU jádra. Zrychlení přichází jinou cestou: větší pouzdro pojme více výpočetních čipů a více paměťových stacků HBM v jednom balení. Kratší a širší propoje mezi nimi znamenají vyšší paměťovou propustnost. A právě paměťová propustnost je u dnešních AI akcelerátorů často tím skutečným úzkým hrdlem; model potřebuje data rychleji, než mu je paměť stíhá dodat.

TSMC ve své výroční zprávě za rok 2025 tento přístup popisuje jako škálování na úrovni celého systému, nikoli jednotlivého tranzistoru. CoPoS má tento princip posunout dál tím, že umožní pouzdra přesahující 9,5násobek velikosti reticle, tedy hranice, na které dnešní řešení na úrovni waferu začínají narážet na praktické limity.

Přímé procento výkonového nárůstu TSMC zatím neukázala. Logika je ale jasná: více paměti blíž k výpočetním jádrům znamená méně čekání, a tedy rychlejší inference i trénink.

Kolik to ušetří a proč to není jednoduché spočítat

Mechanismus úspory je zřejmý: méně odpadu na okrajích panelu oproti waferu. Pokud využití plochy skutečně vzroste z 65 na 90 %, čistě matematicky klesne nákladovost na využitou plochu zhruba o 28 %. Jenže to není totéž jako finální cena hotového pouzdra. Do té vstupuje výnosnost (kolik pouzder projde kontrolou kvality), cena nových strojů pro panelovou výrobu a zmetkovitost, která je u nové technologie vždy vyšší.

TSMC veřejně nepublikovala konkrétní procento celkových úspor. Kevin Zhang z TSMC na European Technology Symposium v červnu 2026 navíc přiznal, že panel zatím nedosahuje stejné hustoty propojení jako CoWoS na úrovni waferu. Jinými slovy: CoPoS bude efektivnější z hlediska využití plochy, ale musí nejdříve dohnat kvalitativní parametry stávajícího řešení.

Rok 2028: realistický plán, nebo jen vize?

Časový rámec má solidní oporu. Už v červenci 2024 generální ředitel TSMC C. C. Wei při výsledném hovoru potvrdil, že firma pracuje na panelové fan-out technologii, ale označil ji za nezralou s horizontem „alespoň tři roky“. Od té doby uběhly dva roky a TrendForce v dubnu 2026 informovala o pilotní lince, která měla být dokončena v červnu 2026. Kuo ve svém příspěvku mluví o zahájení sériové výroby v druhé polovině roku 2028.

Proti jistému termínu stojí reálné technické překážky. Největší je deformace panelu při vysokých teplotách, která roste s velikostí. Panelový výrobní ekosystém je také méně vyspělý než více než deset let prověřená výroba na úrovni waferu. Rok 2028 je realistický jako začátek náběhu, ne jako okamžik plné produkce.

Za zmínku stojí, kdo by mohl být prvním zákazníkem. Kuo zmiňuje čipy NVIDIA Feynman, které mají podle roadmapy přijít právě v roce 2028 a počítají se skládanými GPU čipy a pokročilými paměťovými konfiguracemi HBM, tedy typ produktu, který by z většího panelového pouzdra těžil nejvíce. Oficiální potvrzení spojení CoPoS a Feynman ale zatím neexistuje.

CoPoS není jediný hráč v této válce

TSMC s panelovou technologií nereaguje do prázdna. Intel tlačí vlastní řešení EMIB a Foveros, přičemž EMIB podle oficiálního blogu Intel Foundry nemá limit velikosti reticle a firma už mluví o panelové produkci a skleněných substrátech. Samsung provozuje vlastní 2.5D řešení H-Cube pro vysoce výkonné výpočty a panelové pouzdření využívá v některých dalších segmentech.

Důležité je také to, že CoPoS nepřichází místo CoWoS, ale vedle něj. TSMC na svém Technology Symposium 2026 oznámila, že CoWoS dosáhne 14násobku velikosti reticle v produkci v roce 2028 a ještě větších formátů v roce 2029. Stará pravidla tedy nekončí, jen přibývají nová.

Makroekonomický kontext to podtrhuje: pokročilé pouzdření tvořilo v roce 2025 lehce přes 10 % tržeb TSMC a letos má jeho podíl dál růst. Pouzdření přestalo být okrajovou disciplínou. Stalo se strategickým bojištěm.

Pro běžného uživatele bude dopad CoPoS nepřímý, ale reálný. Levnější a dostupnější AI akcelerátory v datacentrech znamenají nižší náklady na cloudové AI služby, od chatbotů přes generování obrázků až po firemní analytiku. Nový čip s nápisem CoPoS v obchodě nehledejte. Ale rychlejší odpověď od AI asistenta za dva roky? Ta může mít panelový základ.